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       11月19日消息，Blackwell架構(gòu)的RTX 50系列顯卡預(yù)計(jì)在2025年登場(chǎng)，根據(jù)靠譜曝料者kopite7kimi的最新說法，其制造工藝將升級(jí)為臺(tái)積電3nm。

目前唯一使用3nm工藝的就是蘋果A17 Pro，不過還是第一代N3。目前還不清楚NVIDIA會(huì)使用哪個(gè)版本，大概率還是定制版。

       相比RTX 40系列現(xiàn)在使用的臺(tái)積電4N 5nm工藝相比，據(jù)說NVIDIA使用的3nm可在同等功耗下降性能提升最多15％，或者在同等性能下將功耗降低最多30％，最關(guān)鍵的是核心面積可以減少大約42％！

       RTX 4090使用的AD102核心面積為609平方毫米，相比于三星8nm工藝的RTX 3090 Ti GA102 628平方毫米幾乎不變，而換上臺(tái)積電3nm之后，即便晶體管再次大大增加，面積也能縮小很多，對(duì)于降低成本、提高良率至關(guān)重要。

       另外，RTX 50系列還有望升級(jí)到DisplayPort 2.1接口規(guī)范，相比現(xiàn)在的1.4版本實(shí)現(xiàn)一次飛躍，也可以追上AMD RX 7000系列。

DP 1.4僅支持HBR 3，四通道下有效帶寬僅為25.9Gbps。

DP 2.0則升級(jí)到了HBR 13.5，有效帶寬高達(dá)52.2Gbps，完全可以滿足16K超高分辨率輸出的需求。

 

       雖然絕大多數(shù)普通人根本用不到如此帶寬，但對(duì)于頂級(jí)玩家、專業(yè)設(shè)計(jì)師來說將不存在任何限制。

此外，RTX 50系列有望引入PCIe 5.0，成為摩爾線程MTT S系列之后第二款PCIe 5.0顯卡。

 

       公版供電接口將繼續(xù)使用16針，但可能會(huì)更新為12V-2x6版本，比現(xiàn)在的12VHPWR更可靠，高功率下也不容易燒毀。

當(dāng)然了，RTX 50系列還會(huì)升級(jí)到GDDR7顯存。

 

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